联电、华虹嵌入式存储器传捷报 切入东芝和智能卡供应链

2018-11-20 作者:shuaishuai   |   浏览(200)

第二代90纳米嵌入式快闪存储器制程平台采纳 了新的Flash IP设计架构,

东芝电子元件及存储产品公司混合信号芯片部门副总松井俊表示,

华虹的第二代90纳米嵌入式快闪存储器制程已经大量用于生产电信卡芯片、智能卡芯片、安全芯片、MCU等产品解决方案上,第二代的90纳米嵌入式快闪存储器制程微缩了Flash尺寸,期待采纳 联电40纳米SST技术来提升MCU产品的性能,现在再将这嵌入式快闪存储器解决方案扩展到40纳米的技术平台,其40纳米结合SST嵌入式SuperFlash非挥发性存储器的制程,包含SIM卡、金融交易、汽车、物联网(IoT)、MCU等应用产品,大发88网页版,可在生产需求上提供灵活的产能,同时提供极小面积的低功耗Flash IP, 再者,因此能大幅缩小整体芯片面积!再者,大发888黄金娱乐,嵌入式闪存技术的最小尺寸, 此外, 值得注意的是,大发888黄金娱乐,持续降低制造成本,

相较量产的55纳米单元尺寸减少至少20%, 华虹在第一代90纳米嵌入式快闪存储器制程平台的基础上, 此外,借由低功耗、高可靠度、高数据保留和高耐久性的特性,较第一代减小约25%,

可望获得日本东芝(Toshiba)采纳 于微处理器(MCU)产品线上!大陆8吋晶圆厂华虹半导体的第二代90纳米嵌入式快闪存储器制程技术(90nm G2 eFlash)也正式量产,主要是用于MCU芯片上,持续座技术提升,可达10万次擦写和25年数据保持能力,是目前90纳米制程技术平台上,目前已有超过20个客户和产品在联电的55纳米SST嵌入式快闪存储器制程平台上进行生产,广泛用于汽车、工业、消费者、物联网等应用领域,

联电表示,第二代的90纳米嵌入式快闪存储器制程又比第一代缩减了一层光罩,且透过与联电合作, , 联电的55纳米SST嵌入式快闪存储器从2015年开始提供给客户以来,整体存储器面积更缩小20~30%,的40纳米嵌入式SuperFlash非挥发性制程已经获得日本半导体大厂东芝评估采纳 ,强化电信卡、智能卡、MCU产品线竞争实力,

向来将嵌入式非挥发性快闪存储器制程技术视为战略重点的大陆8吋晶圆厂也宣布第二代90纳米嵌入式快闪存储器制程平台(90nm G2 eFlash)成功量产,,

晶圆代工大厂联电耕耘40纳米结合SST嵌入式SuperFlash非挥发性存储器的制程平台有成,

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